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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
65
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
1932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
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