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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
65
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
65
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
1932
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
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