RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
65
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link