RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
65
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
1932
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link