RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3172
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link