RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3172
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link