RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3172
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G80026 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link