RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
10.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.6
Скорость записи, Гб/сек
8.7
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2257
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link