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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
37
Por volta de -16% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.0
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
13.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3278
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
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