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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
38
Por volta de 3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
InnoDisk Corporation 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
38
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2163
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
InnoDisk Corporation 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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