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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno 3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
38
Velocità di lettura, GB/s
13.2
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2163
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
InnoDisk Corporation 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
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