RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
37
Por volta de -9% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.2
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
14.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3527
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351R7EFR4A
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link