RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Gesamtnote
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
37
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3527
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link