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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
9.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
9.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
2082
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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