RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2082
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link