RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Porównaj
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
2082
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link