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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston XF875V-HYA 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston XF875V-HYA 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Kingston XF875V-HYA 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
41
Por volta de -5% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
39
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
2274
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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