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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Confronto
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston XF875V-HYA 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XF875V-HYA 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
41
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
39
Velocità di lettura, GB/s
13.3
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2176
2274
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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