RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
41
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
13.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
2312
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link