RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
59
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
23
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
13.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3125
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link