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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
59
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3125
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
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