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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2394
2854
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
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