RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
41
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2394
2854
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link