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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
総合得点
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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考慮すべき理由
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
41
周辺 -41% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.4
13.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.0
8.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
29
読み出し速度、GB/s
13.3
15.4
書き込み速度、GB/秒
8.8
13.0
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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