RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
54
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2105
2988
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link