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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Comparar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
66
Por volta de 38% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.3
7.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
7.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
66
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
7.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
7.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2176
1862
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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