RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Comparar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
56
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.2
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2017
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link