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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
56
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.2
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
6.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
2017
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
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