RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
56
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.2
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
9.2
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
2017
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link