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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
39
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
39
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
14.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3177
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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