RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Gesamtnote
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
39
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2321
3177
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link