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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
35
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2537
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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