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PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
94
Por volta de 71% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
13.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
94
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
7.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1506
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
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