RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.9
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.4
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
28
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
20.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
17.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3963
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link