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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston X74R9W-MIE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Kingston X74R9W-MIE 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
35
Por volta de -52% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
23
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
3136
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
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