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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Comparar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
35
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
9.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2502
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
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