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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
35
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
22
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2321
2708
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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