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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
14.4
16.9
写入速度,GB/s
9.5
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
2708
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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Kingston 9905663-030.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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