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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
39
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1770
3371
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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