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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Comparar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
90
Por volta de 57% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
90
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
8.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1770
1743
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
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