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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
11.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
39
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
11.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2804
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
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