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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
39
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
32
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3659
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Comparações de RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
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