RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
39
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
21
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
15.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3255
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link