RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3386
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link