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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2479
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
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Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
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