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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3657
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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