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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
39
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
27
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3158
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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