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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
17.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3786
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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