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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de -34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2601
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Comparações de RAM
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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