RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
39
Por volta de -3% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
38
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
10.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2581
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link