RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
63
Por volta de 38% menor latência
Razões a considerar
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
63
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
8.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2061
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link