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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
56
Por volta de -75% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
32
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
14.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
3571
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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