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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
总分
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
56
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.9
1,813.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
56
32
读取速度,GB/s
4,387.7
16.9
写入速度,GB/s
1,813.5
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
693
3571
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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